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功率器件

所屬頻道 電源
  • 原創(chuàng)

    電阻率是測量是電阻參數(shù)的關鍵,第一部分

    當向材料或設備施加電壓時,電流將流過它。將流過多少電流取決于材料應用于電路的電阻。材料的電阻取決于許多因素,最重要的是它的電阻率。電阻和電阻率經(jīng)?;Q使用,但它們的含義略有不同。了解差異有助于您了解電子的流動方式。

  • 原創(chuàng)

    如何處理 AD 轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)流的介紹

    如果我們已經(jīng)設置了 A/D 轉(zhuǎn)換器或智能傳感器,并且主機處理器正在從讀數(shù)中獲取數(shù)據(jù),這是第一步。對于某些應用程序,按需讀取一次可能很有用。許多應用程序要求對讀數(shù)流進行一些計算。

  • 原創(chuàng)

    電阻率是測量是電阻參數(shù)的關鍵,第二部分

    電阻或電阻率測量需要兩根或四根線。兩線電阻測量是最常用方法,通常使用手持萬用表完成。今天的數(shù)字萬用表對于大多數(shù)應用來說都相當準確。

  • 原創(chuàng)

    快速穩(wěn)定的皮安表電路可處理寬電壓范圍

    評估模擬開關、多路復用器、運算放大器和其他 IC 對 IC 測試工程師提出了挑戰(zhàn)。典型的測試場景需要對設備的輸入施加測試或強制電壓,并測量任何產(chǎn)生的泄漏電流和偏移電流,通常為 1 pA 或更低。與緩慢且昂貴的商用自動測試儀相比,這個設計中的低功耗測量電路可以強制提供廣泛的測試電壓并提供快速穩(wěn)定,以最大限度地提高設備測試吞吐量。廣泛使用表面貼裝元件可最大限度地減少其印刷電路板空間要求,并允許在靠近測試夾具的地方封裝多個測量電路。

  • 原創(chuàng)

    最大化硬件仿真對網(wǎng)絡設計的價值,第二部分

    對于功能驗證,思科做了幾件事。它為前門初始化設計了一個測試平臺。它采用了所有的 C++/System C 測試檢查器和模擬檢查,甚至是實時檢查,并將它們移植到仿真器中。它還使用 Mentor 的以太網(wǎng)數(shù)據(jù)包生成器監(jiān)視器 (EPGM) 作為 IP 來生成以太網(wǎng)數(shù)據(jù)包或不同種類的數(shù)據(jù)包。

  • 原創(chuàng)

    最大化硬件仿真對網(wǎng)絡設計的價值,第一部分

    為網(wǎng)絡應用設計 ASIC 面臨著獨特的挑戰(zhàn)。一是這些設備的帶寬和延遲性能測試比其他類型的 IC 所需的仿真周期要長得多。當然,擴展模擬會減慢整個設計過程。為了解決這些問題和其他問題,思科工程師采用了將仿真與仿真相結(jié)合的做法,以改進和加速驗證過程。

  • 原創(chuàng)

    ROHM最新的GaN HEMT 提器件的高柵極耐壓

    新 EcoGaN? 系列的第一個系列有助于降低數(shù)據(jù)中心和基站的功耗并實現(xiàn)更大的小型化 ROHM 150V GaN HEMT、GNE10xxTB 系列( GNE1040TB ) 將柵極耐壓(額定柵極-源極電壓)提高到業(yè)界領先的 8V - 非常適用于工業(yè)設備(如基站和數(shù)據(jù)中心以及物聯(lián)網(wǎng))的電源電路通訊設備。

    電源
    2022-09-01
  • 原創(chuàng)

    一種用于無線電力傳輸?shù)?MEMS 開關介紹二

    為了評估該開關在 WPT 阻抗匹配應用中的性能,Menlo Microsystems 和Solace Power創(chuàng)建了電路和電氣環(huán)境類似于 Solace 的 Equus 系統(tǒng)。Solace WPT 方法采用獲得專利的諧振電容耦合技術,可在固定或可變距離情況下以 13.56 MHz 傳輸高達 150 W 的射頻功率。

  • 原創(chuàng)

    一種用于無線電力傳輸?shù)?MEMS 開關介紹一

    如果諧振無線電力傳輸 (WPT) 系統(tǒng)要兌現(xiàn)其為電動汽車和其他大功率應用充電的承諾,首先必須解決一個工程問題。

  • 原創(chuàng)

    一種新技術E-Mode GaN寬帶隙半導體討論,第五部分

    我的最后一個問題是關于展望未來:您如何看待未來幾年的 GaN?與 GaN 競爭的其他寬帶隙材料有哪些?所以,我提到了一些關于碳化硅的事情。因此,這些天來,我們也在談論電動汽車。那么,與其他解決方案相比,GaN 在哪些方面可以提供良好的價值?我們期望在哪里看到下一波增長?

    電源
    2022-08-30
  • 原創(chuàng)

    一種新技術E-Mode GaN寬帶隙半導體討論,第四部分

    現(xiàn)在討論的一個主題是器件的熱管理方面,而寬帶隙半導體、氮化鎵,但不僅是碳化硅解決方案,承諾更高的工作溫度和更高的效率。如您所知,在將這些設備設計到系統(tǒng)中時,設計人員還需要考慮熱管理問題。那么,您的技術戰(zhàn)略是什么,您如何看待隨著功率密度的增加而對工藝和封裝技術的未來發(fā)展產(chǎn)生影響的熱管理需求?

    電源
    2022-08-30
  • 原創(chuàng)

    一種新技術E-Mode GaN寬帶隙半導體討論,第三部分

    最新的GaN技術是把邏輯集成到 E-Mode GaN HEMT 中,因此,它可以以最少的工作量與驅(qū)動程序和控制器連接,并且還可以節(jié)省成本,因此不需要額外的組件。因此,我們的解決方案可以像 MOSFET 一樣被驅(qū)動。為什么E-Mode GaN HEMT選擇集成邏輯而不是 GaN 驅(qū)動器的原因是什么嗎?

    電源
    2022-08-30
  • 原創(chuàng)

    一種新技術E-Mode GaN寬帶隙半導體討論,第二部分

    目前有幾個 GaN 器件概念。那么,大家能告訴我從設計的角度來看,哪些是主要的,哪些是我們的發(fā)展方向?,關于GaN的十件事,有沒有你更關注的點?

    電源
    2022-08-30
  • 原創(chuàng)

    TI 通過高精度 ADC 加強工業(yè)轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品組合

    德州儀器 (TI) 擴展了其高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器系列,新增了八個逐次逼近寄存器 (SAR) 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 系列,可在工業(yè)環(huán)境中實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)采集。針對工業(yè)系統(tǒng)中的實時控制挑戰(zhàn),ADC3660 SAR ADC 具有 14 位、16 位和 18 位分辨率,采樣速度范圍為 10 到 125 MSPS,聲稱可將功耗降低 65%,將延遲降低 80%。競爭設備。

  • 原創(chuàng)

    聰明的 IC 改進了二極管的簡單性

    工程師知道一個好的設計的基本準則是“保持簡單”——但只在可能的范圍內(nèi)這樣做。這就是為什么半導體二極管如此強大的原因:它是一種兩端器件,從阻斷反向直流到交流線路或信號整流,再到捕獲和保持峰值(使用相關的電容器),都有無數(shù)的作用。二極管有數(shù)千種尺寸和電流/電壓額定值以滿足這些不同的需求。

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