1 引 言聲參量陣(Parametric Array)是利用媒質(zhì)的非線性效應(yīng),使用換能器(陣)沿同一方向傳播兩個(gè)高頻初始波,獲得差頻、和頻等聲波的聲發(fā)射裝置。由于聲吸收系數(shù)與頻率的平方成正比,在聲波的傳播過程中,頻率較高的超
利用TOPSwilch及PI Expert設(shè)計(jì)了一種單端反激式多路輸出開關(guān)電源。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該電源結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,運(yùn)行可靠,輸出穩(wěn)定。
脈沖電源是各種電源設(shè)備中比較特殊的一種,它的電壓或電流波形為脈沖狀。其實(shí)質(zhì)上是一種通斷的直流電源,其基本工作原理是首先經(jīng)過慢儲(chǔ)能,使初級(jí)能源具有足夠的能量,然后向中間儲(chǔ)能和脈沖成形系統(tǒng)放電(或流入能量)
IR21844是IR公司的橋式驅(qū)動(dòng)集成電路芯片,它采用高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù),大大簡(jiǎn)化了邏輯電路對(duì)功率器件的控制要求,同時(shí)提高了驅(qū)動(dòng)電路的可靠性。本文介紹了該芯片的主要特點(diǎn)及技術(shù)參數(shù),就芯片典型應(yīng)用電路進(jìn)行了分析,并以驅(qū)動(dòng)N溝通MOSFET管為例介紹了具體應(yīng)用的改進(jìn)。
摘要:為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題,通過對(duì)MOSFET柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖,定位了MOSFET開關(guān)損耗的來源,進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化,減少M(fèi)OSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
選擇電源IC不僅僅要考慮滿足電路性能的要求及可靠性,還要考慮它的體積、重量、延長(zhǎng)電池壽命及成本等問題。這里給出一些選擇基本原則以及推薦①采用LDO的最佳條件當(dāng)要求輸出
光耦的主要作用是在電路中對(duì)光電進(jìn)行隔離,因此光耦的反應(yīng)速度就變得至關(guān)重要。在電路的設(shè)計(jì)里有很多方法能夠提高光耦的反應(yīng)速度,在光耦端輸入并聯(lián)電阻就是其中一種方式。
0 引言 隨著高性能永磁材料、電力電子技術(shù)、大規(guī)模集成電路和計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展,永磁同步電機(jī)(PMSM)的應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大,在數(shù)控機(jī)床,機(jī)器人等高精度控制領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。由于對(duì)電機(jī)控制性能的要求越來越高,
采用混合集成技術(shù),把由六個(gè)超快恢復(fù)二極管(FBED)芯片組成的三相整流橋和一個(gè)作為開關(guān)的晶閘管芯片混合集成在一個(gè)PPS外殼內(nèi),制成了“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”,它主要用于VVVF、SMPS、UPS、逆變焊機(jī)、伺服電機(jī)傳動(dòng)放大器等具有直流環(huán)節(jié)的變頻器內(nèi)。簡(jiǎn)要地介紹了這種模塊的設(shè)計(jì)和制作特點(diǎn)、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、應(yīng)用領(lǐng)域及其主要技術(shù)參數(shù)。
引言 目前,我國(guó)國(guó)內(nèi)太陽能自動(dòng)跟蹤器主要有:壓差式太陽能跟蹤器,控放式太陽跟蹤,時(shí)鐘式太陽跟蹤器,比較控制式太陽跟蹤器。純機(jī)械式的跟蹤器和時(shí)鐘式的機(jī)電跟蹤器精度偏低,本系統(tǒng)采用了精度相對(duì)較高的光敏電
includebrf
單曲循環(huán)lk
18713271819cxy
rainbow9527
王洪陽
yifeidengdai
yangjie123456
zrddyhm
xyhaliyou
bestec0311
GUXIUQI
liqundianzi
enyvking
13827430715
Powerxys
gaojian19961214
W1320736
adaminjie
SIASGUOJIe
bulusii
風(fēng)凌天
簡(jiǎn)直celia
965626362
魁北克之眼
w541164212
fundwy2
漂流大帥哥
changtingyimeng
DYQ26
劉劍君