最近幾年由于技術(shù)及效率的進(jìn)步，LED的應(yīng)用越來越廣；隨著LED應(yīng)用的升級(jí)，市場(chǎng)對(duì)于LED的需求，也朝更大功率及更高亮度，也就是通稱的高功率LED方向發(fā)展。 對(duì)于高功率LED的設(shè)計(jì)
隨著市場(chǎng)的持續(xù)增長，led制造業(yè)對(duì)于產(chǎn)能和成品率的要求變得越來越高。激光加工技術(shù)迅速成為LED制造業(yè)普遍的工具，甚者成為了高亮度LED晶圓加工的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 激光刻劃LED刻劃線條
SLIM® 傳感器無需第二層傳感器即可支持流行的觸摸手勢(shì)， 使X1系列手機(jī)獨(dú)具特色，區(qū)別于中國市場(chǎng)眾多產(chǎn)品 2013年2月25日，北京訊—&mda
首爾半導(dǎo)體株式會(huì)社是一家韓國專業(yè)LED封裝公司，首爾半導(dǎo)體公司發(fā)布新開發(fā)出的0.6T側(cè)發(fā)光LED，光通量達(dá)到8.8lm，具備目前全世界同類產(chǎn)品當(dāng)中最高的亮度，從而占據(jù)著快速增長的智能手機(jī)和平
LED死燈現(xiàn)象在LED照明行業(yè)經(jīng)常出現(xiàn)，嚴(yán)重影響到了產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，也是眾廠家關(guān)心的問題。LED死燈是由什么原因引起？該如何避免LED死燈的現(xiàn)象是本文探討的重點(diǎn)。
根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下綠能事業(yè)處LEDinside表示，LED市場(chǎng)需求受到背光市場(chǎng)需求減緩，以及庫存盤點(diǎn)影響，2013年6月臺(tái)灣上市上
賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 8 月7 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布
歐司朗光電半導(dǎo)體推出Duris S 8，為Duris “S” LED系列增添了多芯片、高功率的新成員。 這款全新Duris S LED分組精細(xì)，可實(shí)現(xiàn)卓越
1.引言 LED以其使用時(shí)間長、大視角、高亮度、色彩斑斕等特點(diǎn)而在近年來迅速的發(fā)展，它是繼白熾燈、高強(qiáng)度放電燈、熒光燈之后第四代新能源。LED屬于P/N結(jié)型半導(dǎo)體，它作為一種固態(tài)
NPD DisplaySearch表示，LED背光模組用LED需求減少，但照明需求急遽上升，預(yù)估LED晶片總體需求量將從2012年的170億片成長為2014年的610億片。 根據(jù)
隨著LED照明產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，LED芯片行業(yè)迅猛突破。2014年，受下游照明市場(chǎng)旺盛的需求拉動(dòng)，LED上游芯片行業(yè)快速增長。多家LED芯片企業(yè)都在戰(zhàn)略布局，以下為近期芯片廠商最新動(dòng)態(tài)。
目前，LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅（Si）、碳化硅（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點(diǎn)。
目前，LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅（Si）、碳化硅（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點(diǎn)。
近年來中國、美國、歐盟等全球多個(gè)國家及地區(qū)陸續(xù)實(shí)行“禁白”政策，LED節(jié)能燈泡的市場(chǎng)得到進(jìn)一步推廣，且LED照明產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下降，這些均直接帶動(dòng)LED照明滲透率的快速
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