兩個(gè)555振蕩器或定時(shí)器都可以配置成音頻振蕩器,分別用于單獨(dú)的揚(yáng)聲器。一個(gè)雙100kQ電位計(jì)用于同時(shí)調(diào)諧這兩個(gè)振蕩器。振蕩器的頻率范圍受一個(gè)平行晶體管開(kāi)關(guān)控制,這個(gè)開(kāi)關(guān)為振蕩器選擇定時(shí)電容。雖然這個(gè)電路只給出
雙向晶閘管觸發(fā)電路工作原理圖調(diào)壓器電路主要由阻容移相電路和雙向晶閘管兩部分組成。單獨(dú)畫(huà)出這兩部分電路(上圖),R5、RP和C5構(gòu)成阻容移相電路。合上電源開(kāi)關(guān)S,交流電 源電壓通過(guò)R5、RP向電容器C5充電,當(dāng)電容器C
三相半控橋式整流觸發(fā)電路圖80年代制造的塑料擠出機(jī),其主回路為三相380V電源經(jīng)整流變壓器B (380V/190V,32kV•A)和三相半控橋式整流電路整流后驅(qū)動(dòng)直流電動(dòng)機(jī)D (Z2—72,它激220V/22kW) 。三相半控橋的原
觸發(fā)電路判斷可控硅好壞的方法雙向可控硅用途較廣,但其電氣特性較特殊,用萬(wàn)用表有時(shí)很難準(zhǔn)確測(cè)量出其好壞,現(xiàn)用一個(gè)簡(jiǎn)單的觸發(fā)電路,通過(guò)燈泡的亮滅可準(zhǔn)確判斷出可控硅的好壞。 方法說(shuō)明:1、如圖,第1腳是T1腳,第
可控硅工作原理圖及應(yīng)用圖解可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流,還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的快速接通或切斷;實(shí)現(xiàn)將直流
這個(gè)話(huà)題的起因,是神八兄送了我?guī)讉€(gè)大電流IGBT模塊,有150A的,也有300A的,據(jù)說(shuō)功率分別可以做到10KW和20KW以上,也是擋不住的誘惑,決定來(lái)試一試。但首先必須做一塊能驅(qū)動(dòng)這些大家伙的驅(qū)動(dòng)電路板。經(jīng)和神八兄多次
本文通過(guò)等效電路分析,通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用,并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)??梢哉f(shuō),IGBT是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是
單管模塊的內(nèi)部由若干個(gè)IGBT并聯(lián),以達(dá)到所需要的電流規(guī)格,可以視為大電流規(guī)格的IGBT單管。受機(jī)械強(qiáng)度和熱阻的限制,IGBT的管芯面積不能做得太大,大電流規(guī)格的IGBT需要將多個(gè)管芯裝配到一塊金屬基板上。單管模塊外部標(biāo)簽上的等效電路如圖1所示,副發(fā)射極(第二發(fā)射極)連接到柵極驅(qū)動(dòng)電路,主發(fā)射極連接到主電路中。
一、 橋式整流電路1、二極管的單向?qū)щ娦裕? 2、橋式整流電流流向過(guò)程:輸入輸出波形3、計(jì)算:Vo, Io,二極管反向電壓。二、電源濾波器 1、電源濾波的過(guò)程分析:波形形成過(guò)程:2、計(jì)算:濾波電容的容量和耐壓值選擇
一、 信號(hào)濾波器1、信號(hào)濾波器的作用:與電源濾波器的區(qū)別和相同點(diǎn):2、LC 串聯(lián)和并聯(lián)電路的阻抗計(jì)算,幅頻關(guān)系和相頻關(guān)系曲線(xiàn)。3、畫(huà)出通頻帶曲線(xiàn)。計(jì)算諧振頻率。 二、 微分和積分電路 1、電路的作用,與濾波器
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