在集成電路產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具作為芯片設(shè)計(jì)的核心支撐,其重要性不言而喻。長(zhǎng)期以來,國(guó)外EDA巨頭占據(jù)著市場(chǎng)的主導(dǎo)地位,國(guó)產(chǎn)EDA工具面臨著技術(shù)封鎖和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的雙重壓力。然而,近年來國(guó)產(chǎn)EDA企業(yè)不斷加大研發(fā)投入,取得了一系列令人矚目的突破。法動(dòng)科技的FDSPICE?便是其中的杰出代表,其獨(dú)特的AI電磁大腦與聯(lián)合仿真功能,為國(guó)產(chǎn)EDA工具的發(fā)展注入了新的活力。
在電子電路設(shè)計(jì)中,精確預(yù)測(cè)電路性能至關(guān)重要。然而,實(shí)際制造過程中,器件參數(shù)不可避免地存在容差,這些容差可能導(dǎo)致電路性能偏離設(shè)計(jì)預(yù)期。蒙特卡洛分析作為一種強(qiáng)大的統(tǒng)計(jì)模擬方法,結(jié)合LTspice軟件,能夠幫助工程師評(píng)估器件容差對(duì)電路性能的影響,識(shí)別關(guān)鍵敏感器件,從而優(yōu)化電路設(shè)計(jì),提高產(chǎn)品良率和可靠性。
在電子信號(hào)處理領(lǐng)域,濾波器作為關(guān)鍵組件,用于選擇特定頻率范圍的信號(hào),抑制不需要的頻率成分。開關(guān)電容濾波器(Switched - Capacitor Filter, SCF)和有源濾波器(Active Filter)是兩種常見的濾波器類型,它們?cè)诔杀?、精度和調(diào)諧復(fù)雜度等方面各有特點(diǎn)。深入對(duì)比這兩類濾波器的這些特性,有助于工程師在不同應(yīng)用場(chǎng)景下做出更合適的選擇。
MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))加速度計(jì)作為一種重要的傳感器,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車安全、工業(yè)控制等領(lǐng)域。其模擬前端設(shè)計(jì)是決定加速度計(jì)性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié),負(fù)責(zé)將微弱的機(jī)械信號(hào)轉(zhuǎn)換為可處理的電信號(hào),并進(jìn)行數(shù)字化處理。本文將詳細(xì)介紹MEMS加速度計(jì)模擬前端從電荷放大到Σ - Δ調(diào)制的設(shè)計(jì)過程。
工業(yè)4.0代表著制造業(yè)的智能化、數(shù)字化和自動(dòng)化變革,在這一進(jìn)程中,精確的電流檢測(cè)對(duì)于設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)、能源管理以及系統(tǒng)控制至關(guān)重要。高邊采樣與隔離運(yùn)放作為電流檢測(cè)中的關(guān)鍵技術(shù),其精度直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的性能。本文將深入探討工業(yè)4.0環(huán)境下,通過優(yōu)化高邊采樣電路和隔離運(yùn)放設(shè)計(jì)來提升電流檢測(cè)精度的方案。
超聲波換能器作為將電能與聲能相互轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件,在醫(yī)療成像、工業(yè)清洗、無損檢測(cè)等眾多領(lǐng)域發(fā)揮著不可或缺的作用。然而,超聲波換能器與驅(qū)動(dòng)電路之間的阻抗不匹配問題,會(huì)嚴(yán)重影響功率傳輸效率,導(dǎo)致能量損耗增加、系統(tǒng)性能下降。因此,實(shí)現(xiàn)超聲波換能器的阻抗匹配,從諧振頻率追蹤到功率傳輸優(yōu)化,是提升超聲波系統(tǒng)性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
在當(dāng)今追求高效能與低功耗的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)(Dynamic Voltage and Frequency Scaling,DVFS)技術(shù)成為了一項(xiàng)關(guān)鍵策略。它通過動(dòng)態(tài)調(diào)整處理器或模擬電路的供電電壓和時(shí)鐘頻率,在滿足系統(tǒng)性能需求的同時(shí),最大程度地降低功耗。這一技術(shù)在汽車電子領(lǐng)域尤為重要,因?yàn)槠囯娮酉到y(tǒng)對(duì)可靠性、能效以及實(shí)時(shí)性有著極高的要求。本文將深入探討DVFS技術(shù)的理論基礎(chǔ),并剖析其在汽車電子實(shí)踐中的應(yīng)用。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷邁向納米級(jí)工藝節(jié)點(diǎn),芯片的集成度日益提高,功能愈發(fā)強(qiáng)大。然而,納米級(jí)工藝在帶來諸多優(yōu)勢(shì)的同時(shí),也給模擬電源設(shè)計(jì)帶來了前所未有的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的電源架構(gòu)難以滿足納米級(jí)工藝下芯片對(duì)電源性能、效率和面積的嚴(yán)苛要求。在此背景下,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)與開關(guān)穩(wěn)壓器的混合架構(gòu)應(yīng)運(yùn)而生,成為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)的有效解決方案。
模擬電路在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中占據(jù)著至關(guān)重要的地位,廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、航空航天等眾多領(lǐng)域。然而,模擬電路由于其自身的復(fù)雜性和元件參數(shù)的容差特性,極易發(fā)生軟故障。軟故障通常表現(xiàn)為元件參數(shù)的緩慢變化,不像硬故障那樣會(huì)導(dǎo)致電路完全失效,但卻會(huì)逐漸影響電路的性能,甚至引發(fā)嚴(yán)重的系統(tǒng)故障。因此,準(zhǔn)確、高效地診斷模擬電路軟故障具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。模糊理論和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)作為兩種強(qiáng)大的智能技術(shù),將它們?nèi)诤蠎?yīng)用于模擬電路軟故障診斷,能夠充分發(fā)揮各自的優(yōu)勢(shì),提高診斷的準(zhǔn)確性和可靠性。
隨著汽車智能化、電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化進(jìn)程的加速,汽車電子系統(tǒng)的復(fù)雜度與集成度日益提高。車內(nèi)電子設(shè)備數(shù)量大幅增加,它們之間以及與外界環(huán)境的電磁相互作用愈發(fā)頻繁且復(fù)雜。電磁兼容性(EMC)問題由此成為汽車電子系統(tǒng)可靠運(yùn)行的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。ISO 11452-4作為汽車電子輻射抗擾度測(cè)試的重要標(biāo)準(zhǔn),為評(píng)估汽車電子設(shè)備在復(fù)雜電磁環(huán)境下的抗干擾能力提供了規(guī)范框架,而輻射抗擾度設(shè)計(jì)則是確保汽車電子產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中具備良好EMC性能的核心環(huán)節(jié)。
奈奎斯特采樣定理作為信號(hào)處理領(lǐng)域的基石理論,由美國(guó)工程師哈里·奈奎斯特在 1928 年提出,在奧本海姆等學(xué)者的經(jīng)典著作中得到了深入闡述與系統(tǒng)講解。它明確了為能從采樣信號(hào)中無失真地恢復(fù)原始連續(xù)信號(hào),采樣頻率必須至少是信號(hào)最高頻率的兩倍。然而,在實(shí)際工程應(yīng)用中,許多工程師由于對(duì)定理理解不夠深入或忽視了一些關(guān)鍵因素,常常陷入各種誤區(qū),導(dǎo)致信號(hào)處理效果不佳甚至出現(xiàn)嚴(yán)重錯(cuò)誤。
在顯示技術(shù)不斷革新的浪潮中,量子點(diǎn)顯示技術(shù)憑借其卓越的色彩表現(xiàn)和高效的發(fā)光特性,成為當(dāng)下備受矚目的焦點(diǎn)。隨著人們對(duì)環(huán)保和健康要求的日益提高,以及顯示產(chǎn)業(yè)對(duì)更高畫質(zhì)的不懈追求,無鎘化納米晶材料與廣色域背光方案作為量子點(diǎn)顯示技術(shù)進(jìn)階的關(guān)鍵方向,正引領(lǐng)著顯示行業(yè)邁向新的高度。
在顯示技術(shù)持續(xù)向高分辨率、高對(duì)比度、低功耗等方向演進(jìn)的進(jìn)程中,Micro LED顯示技術(shù)憑借其出色的性能優(yōu)勢(shì)脫穎而出,被視為下一代顯示技術(shù)的有力競(jìng)爭(zhēng)者。然而,Micro LED的大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用面臨著一個(gè)關(guān)鍵瓶頸——巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),即如何將微米級(jí)尺寸的Micro LED芯片高效、精準(zhǔn)地轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板上。激光剝離(Laser Lift - Off,LLO)與自對(duì)準(zhǔn)焊接工藝作為當(dāng)前巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)中的兩種重要方案,各有特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì),對(duì)其進(jìn)行深入對(duì)比分析對(duì)于推動(dòng)Micro LED技術(shù)的突破與發(fā)展具有重要意義。
鈣鈦礦發(fā)光二極管(Perovskite Light - Emitting Diodes,PeLED)作為一種新興的顯示與照明技術(shù),憑借其高發(fā)光效率、低成本、可溶液加工等諸多優(yōu)勢(shì),在近年來引起了科研界和產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注。然而,PeLED的壽命問題一直是制約其大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用的關(guān)鍵瓶頸。界面缺陷和非理想界面接觸引發(fā)的非輻射復(fù)合,以及外界水汽入侵導(dǎo)致的材料降解,是影響PeLED壽命的兩大主要因素。因此,界面鈍化與封裝防潮技術(shù)成為優(yōu)化PeLED壽命的關(guān)鍵所在。
在本教程中,我們將構(gòu)建一個(gè)基于ESP32的WiFi網(wǎng)絡(luò)速度監(jiān)視器,該監(jiān)視器運(yùn)行定期測(cè)試并以每秒請(qǐng)求數(shù)(req/s)或每秒兆比特?cái)?shù)(Mbps)顯示結(jié)果。這種物聯(lián)網(wǎng)驅(qū)動(dòng)的速度測(cè)試將有助于監(jiān)控網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)定性并檢測(cè)停機(jī)時(shí)間。