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  • 電能質(zhì)量分析程序：4 個(gè)必須知道的技巧

    穩(wěn)定、高質(zhì)量的電力供應(yīng)不僅關(guān)乎可用性，還關(guān)乎電能質(zhì)量。然而，找出電能質(zhì)量問(wèn)題的根本原因(從諧波失真和電壓波動(dòng)到雷擊和設(shè)備故障的影響)可能是??一項(xiàng)復(fù)雜的挑戰(zhàn)。這些干擾通常肉眼看不見(jiàn)，但可能導(dǎo)致設(shè)備故障、運(yùn)營(yíng)停機(jī)甚至安全隱患。進(jìn)行徹底的電能質(zhì)量調(diào)查是分析和緩解這些問(wèn)題的第一步，從而提高電氣系統(tǒng)的整體性能。

  • 電解電容器為何會(huì)爆炸

    打開(kāi)一個(gè)普通的 LED 燈泡，你經(jīng)常會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)電解電容器占據(jù)了交流線路輸入的位置。雖然照明級(jí) LED 的使用壽命通常超過(guò) 10,000 小時(shí)，但其底座中的電解電容器可能使用壽命不會(huì)那么長(zhǎng)。造成這種不良后果的原因可能有很多種。

  • 超級(jí)電容器系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素

    超級(jí)電容器可以提供更多功能：更高的功率密度、更大的法拉、更長(zhǎng)的循環(huán)壽命等等。但它們也需要更復(fù)雜的解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)最佳性能。許多設(shè)計(jì)考慮因素包括管理超級(jí)電容器放電、優(yōu)化超級(jí)電容器充電，以及在超級(jí)電容器模塊串聯(lián)配置的情況下，在電池之間提供有效的電壓平衡。

  • 比較器和運(yùn)算放大器OP-Amp之間的比較

    本文首先對(duì)運(yùn)算放大器和比較器的操作進(jìn)行了最高層的比較,然后研究了運(yùn)算放大器的分類,包括電壓、電流、跨電導(dǎo)和跨電阻設(shè)計(jì),查看了運(yùn)算放大器的電壓拓?fù)?考慮了諸如數(shù)字比較器、頻率比較器、電流比較器和窗口比較器等各種類型的比較器,并通過(guò)考慮如何使用運(yùn)算放大器作為比較器來(lái)關(guān)閉。

  • WBG 功率轉(zhuǎn)換器的電流感應(yīng)挑戰(zhàn)是什么？

    WBG的高頻切換帶來(lái)了與帶寬和速度相關(guān)的挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)可以通過(guò)新的傳感技術(shù)來(lái)解決。此外，氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件對(duì)短路條件的耐受性和電流傳感要求不同。

  • DDS 應(yīng)用程序之調(diào)制/數(shù)據(jù)編碼和同步中的DDS

    測(cè)量、工業(yè)和光學(xué)應(yīng)用，需要具有可編程調(diào)諧、掃描和激勵(lì)功能的通用頻率合成功能

  • IGBT如何改善寄生電容，適合高頻操作

    在導(dǎo)通特性方面，IGBT的導(dǎo)通損耗由器件導(dǎo)通時(shí)的壓降造成，其參數(shù)為Vce(sat)，隨溫度變化較小。而SiC MOSFET的導(dǎo)通特性表現(xiàn)得更像一個(gè)電阻輸出特性，具有更小的導(dǎo)通損耗，特別是在電流較小的情況下?2。

  • 射頻功率放大器,第1部分函數(shù)和元件

    在射頻信號(hào)鏈中,功率放大器(PA)是位于發(fā)射機(jī)信號(hào)鏈電路和天線之間的有源元件, 圖1 .它通常是一個(gè)單獨(dú)的離散組件,它的要求和參數(shù)不同于傳輸鏈和接收電路的要求和參數(shù)。這個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題將研究巴勒斯坦權(quán)力機(jī)構(gòu)的作用及其特征。

  • 射頻功率放大器,第2部分考慮

    第一部分 其中常見(jiàn)問(wèn)題包括射頻功率放大器(PA)的基本作用和功能。這一部分探討了在考慮可能的PA設(shè)備時(shí)需要考慮的一些因素。這并不是一個(gè)詳細(xì)的分析,說(shuō)明許多參數(shù)的特點(diǎn),包括許多獨(dú)特的PA功能。

  • 什么材料可以用來(lái)制造微型天線

    許多天線在機(jī)械上既簡(jiǎn)單又復(fù)雜。機(jī)械天線通常只有一個(gè)或兩個(gè)組件,一個(gè)介質(zhì)層(可以是整個(gè)天線)和一個(gè)導(dǎo)電層。本常見(jiàn)問(wèn)題集首先簡(jiǎn)要回顧了介電材料及其對(duì)天線性能的重要性。然后,本文探討了與5G手機(jī)的先進(jìn)天線、靈活電子設(shè)備的天線有關(guān)的發(fā)展,以及在可穿戴天線中使用碳納米天線的可能性。

  • 什么時(shí)候使用緩沖器,什么時(shí)候使用驅(qū)動(dòng)器

    緩沖器和驅(qū)動(dòng)器同時(shí)提供輸入和輸出之間的阻抗變換。當(dāng)看到常見(jiàn)類型的緩沖器和驅(qū)動(dòng)器,例如電壓和電流緩沖器、時(shí)鐘緩沖器、直線驅(qū)動(dòng)器和門(mén)驅(qū)動(dòng)器時(shí),這些差異開(kāi)始出現(xiàn)。基本緩沖區(qū)和驅(qū)動(dòng)程序有一個(gè)輸入和一個(gè)輸出,但還有一些可以有一個(gè)輸入和多個(gè)輸出或一個(gè)輸出有多個(gè)輸入。

  • 軟開(kāi)關(guān)和 SiC 器件如何改善功率轉(zhuǎn)換

    效率和功率密度都是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的重要因素。每個(gè)造成能量損失的因素都會(huì)產(chǎn)生熱量，而這些熱量需要通過(guò)昂貴且耗電的冷卻系統(tǒng)來(lái)去除。軟開(kāi)關(guān)和碳化硅 (SiC) 技術(shù)的結(jié)合可以提高開(kāi)關(guān)頻率，從而可以減小臨時(shí)存儲(chǔ)能量的無(wú)源元件的尺寸和數(shù)量，并平滑開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器的輸出。SiC 還為產(chǎn)生更少熱量并利用更小散熱器的轉(zhuǎn)換器提供了基礎(chǔ)。

  • 如何選擇多功能天線

    影響范圍和性能,天線選擇和放置是關(guān)鍵的設(shè)計(jì)考慮因素,在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造商。本文綜述了最廣泛使用的多用途天線,并討論了其應(yīng)用特定的功能。它還強(qiáng)調(diào)了最佳設(shè)計(jì)和放置戰(zhàn)略,為每種天線類型提供了詳細(xì)的指導(dǎo)方針。

  • 如何量化設(shè)備的非線性第3部分

    在?第一部分中 在這個(gè)系列中,我們討論了1-db壓縮點(diǎn)作為設(shè)備線性度的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。在?第2部分里面 ,我們檢查了一個(gè)增加兩個(gè)頻率的基本輸入信號(hào)的電路。 f 1 = 2 GHz and f 2 =2.5千兆赫。由于非線性,電路產(chǎn)生干擾,主要形式為低面和高面三階互相調(diào)制產(chǎn)品2 f 1 – f 2 和2 f 2 – f 1 , respectively ( 圖1)。三階攔截點(diǎn),簡(jiǎn)稱IP3或toi,表示設(shè)備如何很好地限制這種干擾。

  • 如何量化設(shè)備的非線性第2部分

    在?第一部分中 ,我們研究了1db壓縮點(diǎn),它是射頻功率放大器等設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)。一個(gè)附加的規(guī)范,三階截取點(diǎn),簡(jiǎn)稱IP3或TEI,特別適用于具有多個(gè)輸入頻率的電路。例如,假設(shè)放大器和兩個(gè)頻率為 f 1 = 2 GHz and f 2 =2.5千兆赫。由于非線性,該電路產(chǎn)生具有各種干擾頻率的輸出頻譜,如 圖1 .在一個(gè)?先前關(guān)于互調(diào)失真的帖子 ,我們注意到低及高側(cè)三階互調(diào)產(chǎn)品2 f 1 – f 2 和2 f 2 – f 1 因?yàn)樗鼈兘咏久?難以過(guò)濾,所以可能會(huì)特別麻煩。選擇一個(gè)具有高IP3評(píng)級(jí)的放大器或其他設(shè)備可以最小化這些產(chǎn)品的水平。

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