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一文通解基于VLT技術(shù)的新型DRAM內(nèi)存單元
OFweek電子工程網(wǎng)訊 垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發(fā)出的新型內(nèi)存單元，能夠顯著降低動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)的成本和復雜性。這是一種靜
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Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)，進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在201
