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基于magnum 2 測試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術(shù)研究
NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會(huì)出現(xiàn)壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機(jī)的速測試的方法，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如tREA（讀信號(hào)低電平到數(shù)據(jù)輸出時(shí)間）和tBERS（塊擦除時(shí)間）等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?lì)，完成NAND FLASH的時(shí)序配合，從而達(dá)到器件性能的測試要求。
