平面DRAM是內存單元數組與內存邏輯電路分占兩側,3D Super-DRAM則是將內存單元數組堆棧在內存邏輯電路的上方,因此裸晶尺寸會變得比較小,每片晶圓的裸晶產出量也會更多;這意味著3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。
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