碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆變器應用的開關性能,能夠在增強熱性能的同時提供較高的擊穿場強及開關頻率。不過,SiC要求在更緊湊的設計中能夠獲得更快速的短路保護,這對門極驅(qū)動器提出了獨特的挑戰(zhàn) —— 需要在不同的SiC架構中支持各種不同的門極電壓。
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