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全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動器可最大程度提高效率及安全性
碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆變器應用的開關(guān)性能，能夠在增強熱性能的同時提供較高的擊穿場強及開關(guān)頻率。不過，SiC要求在更緊湊的設(shè)計中能夠獲得更快速的短路保護，這對門極驅(qū)動器提出了獨特的挑戰(zhàn) —— 需要在不同的SiC架構(gòu)中支持各種不同的門極電壓。
巧克力娃娃
碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆變器應用的開關(guān)性能，能夠在增強熱性能的同時提供較高的擊穿場強及開關(guān)頻率。不過，SiC要求在更緊湊的設(shè)計中能夠獲得更快速的短路保護，這對門極驅(qū)動器提出了獨特的挑戰(zhàn) —— 需要在不同的SiC架構(gòu)中支持各種不同的門極電壓。
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