工程師們一般都把RF低噪聲放大器設計視為畏途。要在穩(wěn)定高增益情況下獲得低噪聲系數(shù)可能極具挑戰(zhàn)性,甚至使人畏懼。不過,采用最新的GaAs(砷化鎵)異質(zhì)結(jié)FET,可以設計出有高
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