在工藝技術(shù)方面,臺積電宣布以N7+工藝節(jié)點(diǎn)投片客戶芯片,該工藝節(jié)點(diǎn)采用可處理4層掩膜的EUV。而其N5 EUV則可提高到處理多達(dá)14層掩膜,并將在明年4月準(zhǔn)備好進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。通過EUV技術(shù)可望減少先進(jìn)設(shè)計(jì)所需的掩膜數(shù),從而降低成本。
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