在工藝技術方面,臺積電宣布以N7+工藝節(jié)點投片客戶芯片,該工藝節(jié)點采用可處理4層掩膜的EUV。而其N5 EUV則可提高到處理多達14層掩膜,并將在明年4月準備好進行風險試產(chǎn)。通過EUV技術可望減少先進設計所需的掩膜數(shù),從而降低成本。
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