-
圖解IGBT模塊特性的測量方法
IGBT模塊選型時比較關(guān)鍵的特性有柵極-發(fā)射級門檻電壓Vce(th)、柵極-發(fā)射極漏電流Ices、開通時間ton、開通延遲時間td(on)、上升時間tr、關(guān)斷耗散功率Poff、關(guān)斷耗散能量Eoff、關(guān)斷時間toff、關(guān)斷延遲時間td(off)、下降
IGBT模塊選型時比較關(guān)鍵的特性有柵極-發(fā)射級門檻電壓Vce(th)、柵極-發(fā)射極漏電流Ices、開通時間ton、開通延遲時間td(on)、上升時間tr、關(guān)斷耗散功率Poff、關(guān)斷耗散能量Eoff、關(guān)斷時間toff、關(guān)斷延遲時間td(off)、下降
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務(wù) | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號：京ICP證070360號 21ic電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有 用戶舉報窗口（ 郵箱：macysun@21ic.com ）
