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助力高級(jí)光刻技術(shù)：存儲(chǔ)和運(yùn)輸EUV掩模面臨的挑戰(zhàn)
隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計(jì)尺寸不斷縮小的極限，極紫外(EUV)光刻技術(shù)的運(yùn)用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對(duì)于7納米及更小的高級(jí)節(jié)點(diǎn)，EUV光刻技術(shù)是一種能夠簡(jiǎn)化圖案形成工藝的支持技術(shù)。要在如此精細(xì)的尺寸下進(jìn)行可靠制模，超凈的掩模必不可少。
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