隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計尺寸不斷縮小的極限,極紫外(EUV)光刻技術(shù)的運用逐漸擴展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對于7納米及更小的高級節(jié)點,EUV光刻技術(shù)是一種能夠簡化圖案形成工藝的支持技術(shù)。要在如此精細的尺寸下進行可靠制模,超凈的掩模必不可少。
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