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格芯量產(chǎn)eMRAM，基于22nm FD-SOI平臺(tái)
格芯的eMRAM產(chǎn)品旨在替代高容量嵌入式NOR閃存(eFlash)，幫助設(shè)計(jì)人員擴(kuò)展現(xiàn)有物聯(lián)網(wǎng)和微控制器單元架構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)28nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的功率和密度優(yōu)勢(shì)。
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22nm FD-SOI工藝eMRAM年內(nèi)量產(chǎn)，采用相關(guān)芯片的終端明年面世
格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺(tái)，新型存儲(chǔ)器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器）已投入生產(chǎn)。
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格芯推出基于22FDX平臺(tái)且可批量生產(chǎn)的eMRAM
格芯近日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺(tái)的嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器(eMRAM)已投入生產(chǎn)。格芯正在接洽多家客戶，計(jì)劃2020年安排多次生產(chǎn)流片。此次公告是一個(gè)重要的行業(yè)里程碑，表明eMRAM可在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、通用微控制器、汽車、終端人工智能和其他低功耗應(yīng)用中作為先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的高性價(jià)比選擇。
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105°C高溫下可擦寫1億次 傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達(dá)90%
今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存)，基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)，
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英特爾已準(zhǔn)備好大批量生產(chǎn)eMRAM，基于FinFET工藝
不管是DRAM內(nèi)存還是NAND閃存，最近都在跌價(jià)，今年初，集邦科技旗下的DRAMeXchange發(fā)布了2019年Q1季度DRAM內(nèi)存價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告。根據(jù)他們的報(bào)告Q1季度內(nèi)存市場(chǎng)均價(jià)跌幅將達(dá)20%，Q2
