電解電容會隨時間而泄漏。圖1中的電路可以用來測試電容,決定它們是否值得使用。通過CREF/RREF比值可以設(shè)定對泄漏的限制條件。圖中的值適用于所有電容的一般測試,從1nF的陶瓷電容,到1000μF的電解電容。電路中,CREF的值接近于待測電容值CX。另外也可以用旋轉(zhuǎn)切換的方法選擇RREF,使之大于或小于22 MΩ。
學(xué)習(xí)狀態(tài)監(jiān)控CbM系統(tǒng)設(shè)計,完成測試
深度剖析 C 語言 結(jié)構(gòu)體/聯(lián)合/枚舉/位域:鉑金十三講 之 (13)
自己動手寫FAT32文件系統(tǒng)
野火F103開發(fā)板-MINI教學(xué)視頻(提高篇)
vim從入門到精通第02季:使用插件定制自己的IDE開發(fā)環(huán)境
內(nèi)容不相關(guān) 內(nèi)容錯誤 其它
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務(wù) | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號:京ICP證070360號 21ic電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有 用戶舉報窗口( 郵箱:macysun@21ic.com )
京公網(wǎng)安備 11010802024343號