優(yōu)化低成本BJT開(kāi)關(guān)方案 滿(mǎn)足DoE和CoC新效率標(biāo)準(zhǔn)

眾所周知，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管(BJT)在成本上有很大的優(yōu)勢(shì)。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情況下，當(dāng)功率級(jí)提高到3W以上時(shí)，BJT中的開(kāi)關(guān)損失可能就會(huì)成為大問(wèn)題。Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC，支持安全地使用低成本的雙極結(jié)型晶體管(BJT)開(kāi)關(guān)，能夠提供比現(xiàn)有BJT或MOSFET開(kāi)關(guān)更高的效率。新的系列器件專(zhuān)門(mén)適用于要求滿(mǎn)足美國(guó)能源部(DoE)和歐盟行為準(zhǔn)則(CoC)嚴(yán)格的新效率標(biāo)準(zhǔn)的充電器和適配器，幫助工