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泛林推出業(yè)界首創(chuàng)的用于低氟鎢填充的原子層沉積工藝，推動(dòng)下一代存儲器制造
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)(納斯達(dá)克股票代碼：LRCX)今天宣布推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 (ALD) 工藝，標(biāo)志著其業(yè)界領(lǐng)先的 ALTUS® 產(chǎn)品系列又添新成員。
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)(納斯達(dá)克股票代碼：LRCX)今天宣布推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 (ALD) 工藝，標(biāo)志著其業(yè)界領(lǐng)先的 ALTUS® 產(chǎn)品系列又添新成員。
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