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三星發(fā)現(xiàn)全新半導體材料：內存、閃存迎來革命
三星電子宣布，三星先進技術研究院(SAIT)聯(lián)合蔚山國家科學技術院(UNIST)、英國劍橋大學，發(fā)現(xiàn)了一種全新的半導體材料“無定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，簡稱a-B
三星電子宣布，三星先進技術研究院(SAIT)聯(lián)合蔚山國家科學技術院(UNIST)、英國劍橋大學，發(fā)現(xiàn)了一種全新的半導體材料“無定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，簡稱a-B
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