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X-DRAM

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有望徹底改變內(nèi)存現(xiàn)狀！新一代3D X-DRAM技術亮相

5月8日消息，NEO Semiconductor近日宣布推出兩項新的3D X-DRAM單元設計——1T1C和3T0C，有望徹底改變DRAM內(nèi)存的現(xiàn)狀。

通信先鋒
2025-05-09

X-DRAM 內(nèi)存存儲