中國(guó)公司實(shí)現(xiàn)SOT-MRAM存儲(chǔ)關(guān)鍵突破

12月26日消息，據(jù)媒體報(bào)道，在國(guó)際微電子領(lǐng)域頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議IEDM第70屆年度會(huì)議上，來(lái)自中國(guó)的浙江馳拓科技發(fā)布了一項(xiàng)突破性的SOT-MRAM(自旋軌道矩磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)技術(shù)進(jìn)展，解決了該技術(shù)在大規(guī)模生產(chǎn)中面臨的主要挑戰(zhàn)。