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開(kāi)關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的RCD緩沖設(shè)計(jì)詳解
在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中，MOSFET作為核心開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)關(guān)過(guò)程產(chǎn)生的電壓尖峰和電磁干擾（EMI）問(wèn)題直接影響系統(tǒng)可靠性。RCD（電阻-電容-二極管）緩沖電路通過(guò)鉗位電壓尖峰、抑制振蕩，成為保護(hù)MOSFET的關(guān)鍵技術(shù)。本文從工作原理、參數(shù)設(shè)計(jì)、優(yōu)化策略三方面解析RCD緩沖電路的核心設(shè)計(jì)要點(diǎn)。
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