導(dǎo)通損耗,指在 MOSFET 完全開啟后負(fù)載電流(即漏源電流) IDS(on)(t) 在導(dǎo)通電阻 RDS(on) 上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。
深圳嵌入式展即將來襲
野火F407開發(fā)板-霸天虎視頻-【入門篇】
物聯(lián)網(wǎng)云平臺(tái)實(shí)戰(zhàn)開發(fā)
Java的面向?qū)ο箝_發(fā)
C語言之9天掌握C語言
內(nèi)容不相關(guān) 內(nèi)容錯(cuò)誤 其它
本站介紹 | 申請(qǐng)友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務(wù) | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號(hào):京ICP證070360號(hào) 21ic電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有 用戶舉報(bào)窗口( 郵箱:macysun@21ic.com )
京公網(wǎng)安備 11010802024343號(hào)