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GaN 電源

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  • 用于空間應(yīng)用的 GaN 電源設(shè)計的問答

    與需要定制制造工藝和封裝以使半導(dǎo)體免受輻射影響的硅不同，氮化鎵 (GaN) 器件由于物理特性和結(jié)構(gòu)而在很大程度上能夠抵抗輻射造成的損壞。 這些屬性可以在衛(wèi)星設(shè)計中加以利用。軌道電子必須承受伽馬射線、中子和重離子的影響。質(zhì)子占 空間輻射的 85% ，而較重的原子核占其余部分。輻射會惡化，中斷敲除衛(wèi)星電子元件。