-
服務(wù)器電源：數(shù)據(jù)中心的能效革新
在數(shù)據(jù)中心，服務(wù)器的電源效率一直是業(yè)界關(guān)注的重點(diǎn)。以 Google、亞馬遜(Amazon)、微軟(Microsoft)等為代表的系統(tǒng)業(yè)者，過去普遍采用 12V 的電源架構(gòu)，但為了提升電源使用效率、降低損耗以節(jié)省電費(fèi)成本，如今紛紛轉(zhuǎn)向 48V 的電源設(shè)計架構(gòu)。GaN 器件具備高開關(guān)速度、低損耗的特性，恰好成為解決這一問題的首要選擇。例如，臺達(dá)作為全球最大的服務(wù)器電源供應(yīng)商，市占率近 5 成，其服務(wù)器電源的功率密度在過去 10 年里由 33.7W/in3 上升至 100.3W/in3，功率等級也從較低水平發(fā)展到了 3.2kW 甚至 5.5kW，而下一代預(yù)計將達(dá)到 8kW 以上。在這一進(jìn)階過程中，GaN 技術(shù)發(fā)揮了重要作用。
-
CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動在全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的增長
2025年2月19日 英國劍橋- 氮化鎵(GaN)功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國企業(yè)發(fā)展基金(BGF)、劍橋創(chuàng)新資本公司(CIC)、英國展望集團(tuán)(Foresight Group)和 IQ Capital 的支持。
-
使用GaN讓大功率使用環(huán)境中的設(shè)備保持合適的溫度
自從引入 USB-PD 規(guī)范及其演進(jìn)以來，用于為從手機(jī)到筆記本電腦等日常電子設(shè)備供電的電源適配器的格局發(fā)生了巨大變化。雖然USB-PD確保了廣泛的兼容性，但電源適配器設(shè)計變得更具挑戰(zhàn)性：現(xiàn)在，電源適配器必須支持廣泛的輸出電壓(與專用適配器的單一輸出電壓相反)。同時，最終用戶對更輕、更小適配器的需求仍在繼續(xù)。近年來引入了氮化鎵功率開關(guān)來滿足這些雙重要求。
