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基于GaN 肖特基二極管的大功率微波限幅技術研究
隨著高功率微波技術的發(fā)展 ,超寬帶 、高功率等強電磁技術對電子化設備威脅越來越大 ,使用高 功率微波摧毀電子信息裝備成為了干擾通信系統(tǒng)的重要方式 。 對高功率微波的防護主要分為前 門防護和后門防護 , 限幅器作為前門防護的重要微波器件也面臨越來越高的要求 。本文首先介紹 了 GaN材料及肖特基二極管的器件特點和性能優(yōu)勢 , 然后論文介紹了以半導體器件為基礎的限幅器原理及電路結構 ,并對以 GaN 肖特基二極管為基礎的新一代大功率微波限幅技術研究進展進行論述 。
