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GAA晶體管的物理極限，納米片結(jié)構(gòu)FinFET的量子隧穿抑制策略
在半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)向納米尺度推進(jìn)的過程中，晶體管結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新成為突破物理極限的關(guān)鍵。從FinFET到GAA(全環(huán)繞柵極)晶體管的技術(shù)迭代，本質(zhì)上是對(duì)量子隧穿效應(yīng)、短溝道效應(yīng)等微觀物理現(xiàn)象的主動(dòng)應(yīng)對(duì)。GAA晶體管通過納米片或納米線結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)柵極對(duì)溝道的四面包裹，而FinFET則依賴三維鰭片結(jié)構(gòu)抑制漏電流。兩者在技術(shù)路徑上的差異，折射出半導(dǎo)體行業(yè)在追求更高集成度與更低功耗過程中面臨的深層挑戰(zhàn)。
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基于GAA晶體管的3nm制程也正式開啟了新的晶體管時(shí)代
8月18日，據(jù)相關(guān)爆料，臺(tái)積電3nm(N3)制程將預(yù)計(jì)于第三季增加投片量，于第四季度進(jìn)入量產(chǎn)階段，臺(tái)積電3nm采用了鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)架構(gòu)，N3制程采用TSMC FINFLEX 技術(shù)，將3nm家族技術(shù)的PPA進(jìn)一步提升。
