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ST 和Exagan開啟GaN發(fā)展新篇章
氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4 eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。
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意法半導體收購氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan的多數(shù)股權
此次收購將大幅提高意法半導體在汽車、工業(yè)和消費級高頻大功率GaN的技術積累、擴大其開發(fā)計劃和業(yè)務
