隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,許多科技公司都專注于將越來越多的芯片組擠入更小的空間。結(jié)果,自集成電路發(fā)明以來,芯片組的尺寸一直在縮小。隨著芯片組尺寸不斷縮小,它們對靜電放電 (ESD) 等不受歡迎的電壓瞬變變得更加敏感。
硅ESD(SESD)保護(hù)器件可以防止電路因靜電放電(ESD)事件而受損。0201規(guī)格SESD器件的尺寸極小(0.6mm x 0.3mm x 0.3mm),比上一代器件的面積小了近70%,在空間受到限制的應(yīng)用中
2012年2月14日—— TE Connectivity旗下的一個業(yè)務(wù)部門TE電路保護(hù)部日前發(fā)布一個系列8款全新的單/多通道硅靜電放電(SESD)保護(hù)器件,可提供市場上最低的電容(雙向
抗靜電(ESD)器件有時被作為一種“萬能保護(hù)方案”用于不同場合,這顯然是一個誤區(qū)。我們的目標(biāo)是依照20-80%的原則——一種商業(yè)運(yùn)作規(guī)則,即“80%的
加利福尼亞微設(shè)備公司(California Micro Devices, CMD)近日宣布推出最新款的PicoGuard超低電容二極管陣列——CM1215和CM1216,用于數(shù)字消費(fèi)和計算應(yīng)用產(chǎn)品的靜電
21ic訊 設(shè)計工程師充分了解在應(yīng)付由charged board event (CBE) 所造成的較嚴(yán)重?fù)p壞時,提供符合IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的靜電放電 (ESD)保護(hù)功能可能并不足夠。這些極強(qiáng)的浪涌事件具有高峰值電流和快速上升時間特性,可能
2014年3月18日-設(shè)計工程師充分了解在應(yīng)付由charged board event (CBE) 所造成的較嚴(yán)重?fù)p壞時,提供符合IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的靜電放電 (ESD)保護(hù)功能可能并不足夠。這些極強(qiáng)的浪涌事件具有高峰值電流和快速上升時間特
抗靜電(ESD)器件有時被作為一種“萬能保護(hù)方案”用于不同場合,這顯然是一個誤區(qū)。我們的目標(biāo)是依照20-80%的原則——一種商業(yè)運(yùn)作規(guī)則,即“80%的銷售額源于20%的客戶”,利用一個簡單
HDMI接口的ESD保護(hù)設(shè)計要點