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通過提高電源的穩(wěn)定性，來進(jìn)一步提高汽車應(yīng)用中的 DDR 內(nèi)存性能
雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲器可在許多電子系統(tǒng)中實現(xiàn)高速和高性能，因為它能夠在時鐘的上升沿和下降沿進(jìn)行讀寫。 在時鐘的兩個邊沿讀取和寫入數(shù)據(jù)的能力本質(zhì)上是在不增加時鐘頻率的情況下提供兩倍的速度，并使系統(tǒng)中的吞吐量更快，因為中央處理單元 (CPU) 可以更快地寫入和接收來自 DDR 的數(shù)據(jù).
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電源設(shè)計小貼士 41：DDR內(nèi)存電源
CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更
