平面NAND閃存的量產(chǎn)己經(jīng)達(dá)15納米,幾乎接近它的物理極限,因此為了提高存儲器的容量及帶寬,向3DNAND技術(shù)邁進(jìn)是必然趨勢。但是3DNAND技術(shù)很復(fù)雜,相比較而言由于成品率低,導(dǎo)致成本高。
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