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三維堆疊存儲器（3D NAND）的架構(gòu)演進與工藝挑戰(zhàn)
三維堆疊存儲器(3D NAND)憑借其超越傳統(tǒng)平面NAND的存儲密度和成本優(yōu)勢，成為存儲技術(shù)的核心發(fā)展方向。從2013年三星率先量產(chǎn)24層3D NAND到如今突破300層的技術(shù)節(jié)點，這一領(lǐng)域經(jīng)歷了架構(gòu)創(chuàng)新與工藝突破的雙重變革。然而，堆疊層數(shù)的指數(shù)級增長也帶來了前所未有的制造挑戰(zhàn)，推動行業(yè)在材料、設(shè)備和工藝流程上持續(xù)革新。
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長江存儲或?qū)⒃?024年退出3D NAND市場
據(jù)業(yè)內(nèi)消息，在上周被列入美國實體名單后，長江存儲或?qū)⒃?024年退出3D NAND市場。
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探索用于超高密度存儲的基于液體的存儲器
從 2030 年起，新型存儲技術(shù)有望進入內(nèi)存路線圖，在延遲/生產(chǎn)力空間中補充 3D NAND 閃存、硬盤驅(qū)動器 (HDD) 和磁帶。本文介紹了兩種新的基于液體的存儲概念：膠體和電石存儲器。我們解釋了基本操作原理，展示了第一個實驗結(jié)果，并強調(diào)了它們在未來近線存儲應(yīng)用中的潛力。這些液態(tài)記憶最近在 2022 年國際記憶研討會 (IMW) 的一篇受邀論文中提出。
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高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進存儲器的路線圖
隨著市場需求推動存儲器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發(fā)展，泛林集團正在探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟的成本為晶圓廠提供解決方案。
