為此,創(chuàng)新中心確定了,新型半導(dǎo)體材料及工藝共性關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化;基站用中高頻功率放大器、濾波器、陣列天線等核心器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù);面向射頻前端、硅基毫米波集成芯片設(shè)計(jì)關(guān)鍵技術(shù)三大主要研發(fā)方向。
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