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GaN， “鎵”馭全功率 ——高壓大功率應(yīng)用，氮化鎵前景可期
功率半導體領(lǐng)域已有很多年未發(fā)生系統(tǒng)性技術(shù)變革，目前熱門的寬禁帶（WBG）功率器件已經(jīng)開始占據(jù)自己所“擅長”的市場領(lǐng)域——氮化鎵（GaN）功率器件應(yīng)用從快充起步已獲得顯著的商業(yè)化進展，EV的逆變器則率先采用了碳化硅（SiC）。
功率半導體領(lǐng)域已有很多年未發(fā)生系統(tǒng)性技術(shù)變革，目前熱門的寬禁帶（WBG）功率器件已經(jīng)開始占據(jù)自己所“擅長”的市場領(lǐng)域——氮化鎵（GaN）功率器件應(yīng)用從快充起步已獲得顯著的商業(yè)化進展，EV的逆變器則率先采用了碳化硅（SiC）。
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