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TrendForce集邦咨詢: HBM4新規(guī)格拉高制造門檻，預(yù)期溢價(jià)幅度逾30%
May 22, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，HBM技術(shù)發(fā)展受AI Server需求帶動(dòng)，三大原廠積極推進(jìn)HBM4產(chǎn)品進(jìn)度。由于HBM4的I/O(輸入/輸出接口)數(shù)增加，復(fù)雜的芯片設(shè)計(jì)使得晶圓面積增加，且部分供應(yīng)商產(chǎn)品改采邏輯芯片架構(gòu)以提高性能，皆推升了成本。鑒于HBM3e剛推出時(shí)的溢價(jià)比例約為20%，預(yù)計(jì)制造難度更高的HBM4溢價(jià)幅度將突破30%。
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ASML發(fā)布2024年第二季度財(cái)報(bào) | 凈銷售額62億歐元，凈利潤(rùn)為16億歐元，預(yù)期下半年業(yè)績(jī)表現(xiàn)強(qiáng)勁，2024年凈銷售額將與2023年基本持平
荷蘭菲爾德霍芬，2024年7月17日—阿斯麥(ASML)今日發(fā)布2024年第二季度財(cái)報(bào)。2024年第二季度，ASML實(shí)現(xiàn)凈銷售額62億歐元，毛利率為51.5%，凈利潤(rùn)達(dá)16億歐元。今年第二季度的新增訂單金額為56億歐元2，其中25億歐元為EUV光刻機(jī)訂單。ASML預(yù)計(jì)2024年第三季度的凈銷售額在67億至73億歐元之間，毛利率介于50%到51%。
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應(yīng)用材料公司推出用于先進(jìn)存儲(chǔ)器和邏輯芯片的新型刻蝕系統(tǒng)Sym3?
Sym3? Y專為3D NAND、DRAM和代工廠邏輯節(jié)點(diǎn)中的關(guān)鍵導(dǎo)體刻蝕應(yīng)用而打造
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三星投1114億美元研發(fā)邏輯芯片，能成功嗎？
由于存儲(chǔ)芯片的價(jià)格波動(dòng)很大，三星電子正在尋求通過擴(kuò)大更高附加值，來減少公司對(duì)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的嚴(yán)重依賴。
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增強(qiáng)產(chǎn)能！SK海力士擬拿下MagnaChip在韓國(guó)清州市的晶圓代工廠
據(jù)路透社引述知情人士指出，SK海力士正在考慮收購(gòu)部分邏輯芯片制造商MagnaChip(美格納)，用于擴(kuò)大其8英寸晶圓生產(chǎn)線。
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英特爾、三星將目光移向了嵌入式MRAM技術(shù)
上周，在第64屆國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體巨頭展示了嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。
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三星、SK海力士開始研發(fā)EUV技術(shù)生產(chǎn)DRAM，最快2020年量產(chǎn)
就在臺(tái)積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲(chǔ)器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)上，也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外，韓國(guó)另一家存儲(chǔ)器大廠SK海力士(Hynix)也傳出消息，正在研發(fā)EUV技術(shù)來生產(chǎn)DRAM存儲(chǔ)器，未來有機(jī)會(huì)藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低。
