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全cmos過溫保護電路設(shè)計分析
第一部分溫度保護電路設(shè)計一.基本原理如圖1所示，Q0的作用是檢測芯片工作溫度的。在正常情況下，三極管反射極的電位VE即比較器負(fù)端電位比正端電位高，比較器輸出低電平，芯片正常工作。當(dāng)溫度升高時，由于三極管EB結(jié)
第一部分溫度保護電路設(shè)計一.基本原理如圖1所示，Q0的作用是檢測芯片工作溫度的。在正常情況下，三極管反射極的電位VE即比較器負(fù)端電位比正端電位高，比較器輸出低電平，芯片正常工作。當(dāng)溫度升高時，由于三極管EB結(jié)
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