摘要:分析了FPGA器件發(fā)生單粒子效應的空間分布特性,設計并實現了一種面向FPGA單粒子軟錯誤的檢測電路。將該電路放置在FPCA待檢測電路的附近,利用單粒子效應的空間特性,
軟錯誤是指高能粒子與硅元素之間的相互作用而在半導體中造成的隨機、臨時的狀態(tài)改變或瞬變。隨著SRAM工藝的性能日益提高,越來越低的電壓和節(jié)點電容使得SRAM器件更易出現軟錯誤。軟錯誤不僅會損壞數據,而且還有可能
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