超結(jié)MOSFET與SiC MOSFET在1kW PFC電路中的損耗對(duì)比：英飛凌CoolMOS? C7 vs 羅姆SCH2080KE

功率因數(shù)校正(PFC)電路邁向高頻化、高功率密度，超結(jié)MOSFET與碳化硅(SiC)MOSFET的損耗博弈成為工程師關(guān)注的焦點(diǎn)。以1kW PFC電路為典型場(chǎng)景，英飛凌CoolMOS? C7與羅姆SCH2080KE的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)揭示了兩種技術(shù)路線的本質(zhì)差異——前者以硅基材料的極致優(yōu)化實(shí)現(xiàn)性價(jià)比突破，后者憑借第三代半導(dǎo)體的物理特性顛覆傳統(tǒng)損耗模型。