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使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第五部分EPAD MOSFET 開關(guān)
EPAD MOSFET 在以適當(dāng)?shù)臇艠O電壓開啟時(shí)充當(dāng)開關(guān)，其中在漏極和源極端子之間形成導(dǎo)電通道。源極端子作為輸入，漏極端子作為輸出。開關(guān)的導(dǎo)通電阻取決于由柵極電壓控制的溝道導(dǎo)通電流。在這種情況下，如果使用增強(qiáng)型器件，則可以通過柵極端子上的正偏置電壓打開開關(guān)，信號從源極傳播到漏極端子。信號本質(zhì)上可以是數(shù)字的或模擬的，只要用戶考慮相對于開關(guān)通道導(dǎo)通電阻的輸入和輸出阻抗水平。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第四部分EPAD MOSFET 隔離和（二極管）鉗位介紹
許多電路需要將其輸入和輸入阻抗與輸出阻抗隔離，以便輸出負(fù)載不會干擾輸入信號。這有時(shí)可以通過使用晶體管緩沖器或運(yùn)算放大器緩沖器來實(shí)現(xiàn)，每種緩沖器都存在許多設(shè)計(jì)權(quán)衡。例如，使用 ALD110800 零閾值 MOSFET，可以提供這種隔離，同時(shí)提供偏置到與輸入電平范圍相同的電壓電平的電路輸出。這是零閾值 MOSFET 的基本能力。輸入和輸出電平也可以偏置在固定電壓附近，例如 0.0V。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第三部分使用超低電源電壓驅(qū)動
在 5V、3.3V 或更低電壓下運(yùn)行的低壓系統(tǒng)通常需要具有 1V 或更低閾值或開啟電壓的有源 MOSFET 器件。對于模擬設(shè)計(jì)，該閾值電壓直接影響工作信號電壓范圍。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第二部分EPAD MOSFET 關(guān)鍵性能特征
EPAD MOSFET 專為實(shí)現(xiàn)器件電氣特性的出色匹配而設(shè)計(jì)。這些器件專為實(shí)現(xiàn)最小失調(diào)電壓和差分熱響應(yīng)而構(gòu)建。由于集成在同一塊單片芯片上，它們還具有出色的溫度系數(shù)跟蹤特性。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計(jì)，第一部分EPAD MOSFET器件介紹
在電路設(shè)計(jì)中追求更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢，這給電氣工程師帶來了艱巨的挑戰(zhàn)，因?yàn)樗麄冇龅搅嘶景雽?dǎo)體器件特性對他們施加的限制。長期以來，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并且可能阻礙了他們將可用電壓范圍最大化，否則會使新電路獲得成功。
