瑞薩電子(Renesas)開發(fā)全新28奈米嵌入式快閃記憶體技術(shù)。該技術(shù)可達(dá)更快的讀取與覆寫速度,且針對采用28奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程技術(shù)的晶片內(nèi)建快閃記憶體微控制器(MCU)所設(shè)計。新技術(shù)利用記憶體單元電
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