電容式MEMS麥克風(fēng)讀出電路設(shè)計(jì)

1 引言與傳統(tǒng)的駐極體電容式麥克風(fēng)相比，電容式MEMS麥克風(fēng)具有以下優(yōu)勢(shì):1)性能穩(wěn)定，溫度系數(shù)低，受濕度和機(jī)械振動(dòng)的影響小;2)成本低廉;3)體積小巧，電容式MEMS麥克風(fēng)的背極板和振膜僅有最小的駐極體電容式麥克風(fēng)的1

解析新型量子光電探測(cè)器的讀出與顯示

1.引言目前工業(yè)、醫(yī)療、天文和軍事對(duì)近紅外探測(cè)和成像有大量需求，本文介紹了一種響應(yīng)近紅外的新型高增益GaAs/InGaAs量子光電探測(cè)器。首先測(cè)試和討論了探測(cè)器的I-V特性，探測(cè)器偏壓為-1.5V時(shí)響應(yīng)率大于10A/W，響應(yīng)率

5MHz相位編碼的數(shù)據(jù)讀出電路

字符發(fā)生器的讀出電路

IC卡讀出電路

字符發(fā)生器的讀出電路

字符發(fā)生器的讀出電路

IC卡讀出電路

IC卡讀出電路

反射型光斷續(xù)器檢測(cè)標(biāo)記讀出電路

精密電源電流讀出電路

Vernier陽(yáng)極探測(cè)器及其電子讀出電路的設(shè)計(jì)

介紹基于一維游標(biāo)陽(yáng)極的紫外單光子計(jì)數(shù)成像探測(cè)系統(tǒng)及其信號(hào)預(yù)處理電路的原理，重點(diǎn)設(shè)計(jì)和制作了一維游標(biāo)陽(yáng)極探測(cè)器的前端電子讀出電路，用以探測(cè)脈寬100～200 ms，電荷量為1～20 pc的脈沖。通過(guò)使用自己實(shí)驗(yàn)室搭建的單光子計(jì)數(shù)成像系統(tǒng)對(duì)電子讀出電路進(jìn)行了測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明，電子讀出電路能夠滿足探測(cè)系統(tǒng)的成像要求，并在實(shí)驗(yàn)中利用電路對(duì)掩膜板成像，成功獲得了灰度圖像。

2×8低噪聲InGaAs／InP APD讀出電路設(shè)計(jì)

對(duì)In0．53Ga0.47As／InP雪崩光電二極管(APD)探測(cè)器進(jìn)行了特性分析。以大陣列研究為基礎(chǔ)，結(jié)合器件特性設(shè)計(jì)了一個(gè)2×8低噪聲讀出電路(ROIC)，電路主要由電容反饋互阻放大器(CTIA)和相關(guān)雙采樣(CDS)電路單元構(gòu)成，并對(duì)讀出電路的時(shí)序、積分電容等進(jìn)行了設(shè)計(jì)。電路采用0．6 μm CMOS工藝流片，芯片面積為2 mm×2 mm，電荷存儲(chǔ)能力為5×107個(gè)，功耗小，噪聲低，設(shè)計(jì)達(dá)到預(yù)期要求。