本文分析了表面貼裝 (SMD) 封裝中的硅 MOSFET在熱性能方面與底部冷卻封裝相比在熱性能方面的效率,從而降低了熱阻和工作溫度。它將展示如何降低結(jié)溫有助于提高功率效率,因為主要硅 MOSFET 參數(shù)會因溫度變化(如 RDS (on)和 Vth 電平)而發(fā)生更平滑的變化,以及降低總導(dǎo)通和開關(guān)損耗。
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