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延續(xù)摩爾定律，臺(tái)積電2nm芯片工藝獲重大突破
據(jù)摩爾定律延續(xù)，由14nm，7nm，再到5nm，芯片制程工藝技術(shù)一直在突破。在5nm剛剛起步實(shí)現(xiàn)大規(guī)模突破的時(shí)候，臺(tái)積電對(duì)于2nm芯片工藝技術(shù)的研發(fā)就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)重大突破，并開(kāi)始向1nm制程邁進(jìn)。
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2024年到2025年，臺(tái)積電的主要產(chǎn)能將集中在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)
在芯片制程工藝方面，臺(tái)積電一直走在行業(yè)前端。據(jù)報(bào)道，在今年一季度，臺(tái)積電5nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)，且更為先進(jìn)的3nm工藝也在穩(wěn)步就班地按計(jì)劃推進(jìn)，計(jì)劃于2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，并于2022年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。
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步步緊逼！三星完成5nm工藝開(kāi)發(fā)，臺(tái)積電這口氣松不得
4月16日，三星電子宣布其基于EUV的5 nm FinFET工藝技術(shù)已完成開(kāi)發(fā)，現(xiàn)已可以為客戶提供樣品。
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芯片工藝競(jìng)爭(zhēng)不斷升級(jí) 這場(chǎng)“戰(zhàn)爭(zhēng)”會(huì)結(jié)束嗎?
近日，采用三星10nm工藝制造的高通驍龍835跑分遭到曝光。8日，采用臺(tái)積電10nm工藝制造的華為麒麟970也遭到媒體曝光。此前，英特爾宣稱，將于2017年發(fā)布采用自家10nm工藝制造的移動(dòng)芯片。
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