半導(dǎo)體設(shè)備的認(rèn)證測(cè)試有許多不同類型和風(fēng)格:電磁干擾和兼容性、靜電放電、瞬態(tài)脈沖、抗振性、濕度和溫度應(yīng)力——不勝枚舉。這些認(rèn)證測(cè)試旨在進(jìn)行真實(shí)且可重復(fù)的實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn),代表被測(cè)設(shè)備的應(yīng)用環(huán)境。有些測(cè)試是獨(dú)立的,有些是整個(gè)套件的一部分;無論哪種方式,在您的設(shè)備進(jìn)入市場(chǎng)之前,都需要通過大量的測(cè)試。
1.線圈脈沖測(cè)試原理線圈脈沖測(cè)試原理圖上圖中: C1:儲(chǔ)能電容 C2:諧振容量 Cp:線圈兩端等效并聯(lián)電容 R: 能量消耗等效并聯(lián)電阻 Lx:線圈等效電感預(yù)先對(duì)儲(chǔ)能電容C1充電,充電電壓為儀器設(shè)定的最大電壓,以一極
引言 納米技術(shù)研究已深入到原子挨原子的分子級(jí),構(gòu)造具有全新特性的新結(jié)構(gòu)。特別地,納米電子領(lǐng)域的發(fā)展十分迅速,其潛在影響涉及非常寬的行業(yè)領(lǐng)域。目前的納米電子研究的內(nèi)容主要是如何開發(fā)利用碳納米
由一個(gè)或多個(gè)線圈組合而成的電感器、變壓器、馬達(dá)等繞線元件,通常需要通過下列途徑來完整地評(píng)估該線繞元件的品質(zhì)情況:1、線圈之繞線電阻DCR(銅阻),繞線感量(L)圈數(shù)N、圈數(shù)比例(Np/Ns),線圈間容量(Cp),鐵
在對(duì)納米器件進(jìn)行電流-電壓(I-V)脈沖特征分析時(shí)通常需要測(cè)量非常小的電壓或電流,因?yàn)槠渲行枰謩e加載很小的電流或電壓去控制功耗或者減少焦耳熱效應(yīng)。這里,低電平測(cè)量技術(shù)不僅對(duì)于器件的I-V特征分析而且對(duì)于高電導(dǎo)率材料的電阻測(cè)量都非常重要。
1工作原理本系統(tǒng)充分利用89C51單片機(jī)的控制和計(jì)算能力,采用MCS-51匯編語(yǔ)言,設(shè)計(jì)了一種基于平均功率法的微波脈沖測(cè)試系統(tǒng)。平均功率法測(cè)量的是射頻脈沖復(fù)重周期的平均功率,并采用輔助方法測(cè)出脈沖的占空系數(shù)。設(shè)脈
1工作原理本系統(tǒng)充分利用89C51單片機(jī)的控制和計(jì)算能力,采用MCS-51匯編語(yǔ)言,設(shè)計(jì)了一種基于平均功率法的微波脈沖測(cè)試系統(tǒng)。平均功率法測(cè)量的是射頻脈沖復(fù)重周期的平均功率,并采用輔助方法測(cè)出脈沖的占空系數(shù)。設(shè)脈
解決問題:脈沖I-V測(cè)試 ——納米測(cè)試小技巧在對(duì)納米器件進(jìn)行電流-電壓(I-V)脈沖特征分析時(shí)通常需要測(cè)量非常小的電壓或電流,因?yàn)槠渲行枰謩e加載很小的電流或電壓去控制功耗或者減少焦耳熱效應(yīng)。這里,
隨著納米技術(shù)日新月異的發(fā)展,研究已深入到原子挨原子的分子級(jí),構(gòu)造具有全新特性的新結(jié)構(gòu)。特別地,納米電子領(lǐng)域的發(fā)展十分迅速,其潛在影響涉及非常寬的行業(yè)領(lǐng)域。目前的納米電子研究的內(nèi)容主要是如何開發(fā)利用碳納
隨著納米技術(shù)日新月異的發(fā)展,研究已深入到原子挨原子的分子級(jí),構(gòu)造具有全新特性的新結(jié)構(gòu)。特別地,納米電子領(lǐng)域的發(fā)展十分迅速,其潛在影響涉及非常寬的行業(yè)領(lǐng)域。目前的納米電子研究的內(nèi)容主要是如何開發(fā)利用碳納