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CMOS耗盡模式技術(shù)具有許多優(yōu)勢，第二部分
眾所周知，當(dāng) V GS 在增強模式下為正時，N 型耗盡型 MOSFET 的行為類似于 N 型增強型 MOSFET;兩者之間的唯一區(qū)別是 V GS = 0V時的漏電流 I DSS量。增強型 MOSFET 在柵極未通電時不應(yīng)泄漏任何電流，因此當(dāng) V GS = 0V 時 I DSS必須 為 0，但當(dāng) V GS = 0V 時允許 I DSS電流流過耗盡型 MOSFET 的傳導(dǎo)通道 。
