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確定 GaN 產(chǎn)品可靠性的綜合方法
TI正在設(shè)計基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計劃和相關(guān)的應(yīng)用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵(GaN)的材料屬性可使電源開關(guān)具有令人興奮且具有突破性的全新特性—功率GaN。高電子遷移晶體管(HEMT)。HEMT是一種場效應(yīng)晶體管(FET)，會使導(dǎo)通電阻會低很多。它的開關(guān)頻率要比同等大小的硅功率晶體管要快。這些優(yōu)勢使得功率轉(zhuǎn)換的能效更高，并且能夠更加有效地使用空間。GaN可以安裝在硅基板上，這樣可充分利用硅制造能力，并實現(xiàn)更低的成本。然而，在使用新技術(shù)時，需要驗證這項技術(shù)的可靠性。這份白皮書的主題恰恰是G
