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納米測量電流誤差來自哪里？
要測量弱電流，就必須理解各種潛在的誤差源[1]，這些誤差會造成人們所不希望出現的測量誤差[2]。影響多種類型的納米電子器件的測量結果的兩種極為常見的誤差源是摩擦生電效應和電化學效應（圖2）。
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納米測量最優(yōu)解決方案
本文僅僅探討了納米技術[1]的多種應用中的少數幾個，以及需要更為深入地理解所研究的器件和材料時必須采用的測量方法。每天，各研發(fā)實驗室都誕生各種新的思想和創(chuàng)新點。隨著新點子的出現，人們也需要各
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納米測量中屏蔽罩的重要作用
電纜的不當使用會造成測量時間過長的問題。共軸電纜提供了一個傳輸信號的內導體和屏蔽。內導體和屏蔽之間存在著可供漏電流流過的旁路電阻和電容通路[1]（圖4）。除了作為漏電流的通路之外，旁路的R和C還
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溫度對納米測量的影響是什么？
熱電壓或者EMF是低電壓測量[1]中最常見的誤差源。如圖5所示，當電路的不同部分處于不同的溫度時，以及由不同材料構成的導體連接到一起時，就會產生這些電壓。表中列出了各種材料相對于銅的See beck[2]系
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納米測量該注意的誤差
對納米元器件的電測量——電壓、電阻和電流——都帶來了一些特有的困難，而且本身容易產生誤差。研發(fā)涉及量子水平上的材料與元器件，這也給人們的電學測量工作帶來了種種限制。
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納米測量的基本原理
對納米元器件的電測量——電壓、電阻和電流——都帶來了一些特有的困難，而且本身容易產生誤差。研發(fā)涉及量子水平上的材料與元器件，這也給人們的電學測量工作帶來了種種限制。在任
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納米測量的電流誤差來源
要測量弱電流，就必須理解各種潛在的誤差源，這些誤差會造成人們所不希望出現的測量誤差。影響多種類型的納米電子器件的測量結果的兩種極為常見的誤差源是摩擦生電效應和電化學效應(圖1)。
