-
40年ALD積淀助力超越摩爾，思銳智能完成第一階段發(fā)展布局
沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導(dǎo)體和超越摩爾領(lǐng)域制造工藝的4大關(guān)鍵技術(shù)。在新晶圓產(chǎn)線的投資建設(shè)中，約80%的投資用于購買設(shè)備，薄膜沉積設(shè)備更是占據(jù)其中約25%的比重。
沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導(dǎo)體和超越摩爾領(lǐng)域制造工藝的4大關(guān)鍵技術(shù)。在新晶圓產(chǎn)線的投資建設(shè)中，約80%的投資用于購買設(shè)備，薄膜沉積設(shè)備更是占據(jù)其中約25%的比重。
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務(wù) | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號：京ICP證070360號 21ic電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有 用戶舉報窗口（ 郵箱：macysun@21ic.com ）
