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提速40%、電壓降低至1.2V，三星第五代V-NAND閃存芯片開始批量生產(chǎn)
近日，三星電子正式宣布已開始批量生產(chǎn)其第五代V-NAND 3D堆疊閃存芯片，采用96層堆疊設(shè)計(jì)，與前一代產(chǎn)品相比容量和速度都有大幅提升。它還業(yè)內(nèi)首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面。
近日，三星電子正式宣布已開始批量生產(chǎn)其第五代V-NAND 3D堆疊閃存芯片，采用96層堆疊設(shè)計(jì)，與前一代產(chǎn)品相比容量和速度都有大幅提升。它還業(yè)內(nèi)首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面。
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