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是德科技: 獨有磷化銦工藝 提升中端示波器精度
磷化銦(InP)的高電場電子漂移速度比砷化鎵(GaAs)高，適合制造高速高頻器件。此外，InP的熱導率、太陽能轉換效率、抗輻射特性等均優(yōu)于GaAs,適合制造集成電路、太陽能電池等，目前主要被用于光纖、毫米波和無線領域。是
磷化銦(InP)的高電場電子漂移速度比砷化鎵(GaAs)高，適合制造高速高頻器件。此外，InP的熱導率、太陽能轉換效率、抗輻射特性等均優(yōu)于GaAs,適合制造集成電路、太陽能電池等，目前主要被用于光纖、毫米波和無線領域。是
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